双相位电刺激降低移植干细胞的凋亡率

2016-11-075088点击

双相位电刺激降低移植干细胞的凋亡率 

       由北京航空航天大学生物与医学工程学院樊瑜波院长领导的团队发现双相位电刺激—— 一种非化学性处理的步骤也许能用来预防神经干细胞因缺乏生长因子所引起的细胞凋亡。 该研究成果将发表在八月的《实验生物及医学》期刊。
 
       脊髓损伤是脊柱骨折的严重并发症,多见于车祸,跌倒和坠下, 运动创伤、挤压伤和枪伤。脊髓损伤是重要的致残因素,伤情严重复杂,甚至造成终生残废或危及生命。 据报道中国现有脊髓损伤致残者约100万,而且以每年1万人的速度在递增。 由于脊髓损伤治疗困难,患者伤后障碍多、并发症多,是残疾人中最为困难的人群。 北航的学者相信他们的双相位电刺激干细胞技术将来可用于创伤性脊髓损伤病人的治疗。
 
       干细胞移植能使受损的脊髓再生, 是颇有潜力的治疗方式。但移植的干细胞存活率很低,研究人员认为主要原因在于脊髓中的免疫反应、有限的生长因子和低氧环境限制了移植细胞的生长。 樊瑜波博士因此指导他的团队对神经前驱细胞进行双相位电刺激,在经过12小时的双相位电刺激后,他们发现双相位电刺激可以提升移植后干细胞的存活率。
 
       “双相位电刺激是如何调控外源性干细胞存活率的目前还不清楚,但是对脊髓损伤研究而言,这将是一个崭新的研究领域”,樊瑜波博士补充。

 

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